II 类 HI-K圆片电容
电容范围:100pF 至 22000pF
电容公差 : ±10%(Y5P),±20%(ZSU),+80% -20%(Z5U&Z5V&Y5V)
工作温度范围 : -25°C ~ +85°C (Y5P,Y5V) ;10°C ~ +85°C (Z5U, Z5V)
额定电压 : 50, 100, 500, 1000, 2000, 3000, 6000VDC
介损因数(tan δ) : Y5P, Z5U tan δ ≤2.5%, Z5V, Y5V : tan δ ≤5.0%
绝缘电阻 (IR)@25°C : 10,000 MΩMinimum 或 200 MΩμF 以较小者为准
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II 类 HI-K圆片电容的应用与特性分析
II 类 HI-K圆片电容因其独特的电气性能,在多个领域内得到了广泛应用。这类电容器通常采用高介电常数(HI-K)材料作为介质,这使得它们能够在相对较...
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