Viking代理

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光颉（Viking）电阻产品

高精密低温漂电阻

Thin Film Precision Chip Resistor
高精密薄膜芯片电阻 AR
阻值范围：1Ω~3MΩ
精度：±0.01%~±1%
温漂(ppm/℃)：2/3/5/10/15/25/50
封装：0201/0402/0603/
0805/1206/1210/
2010/2512

Anti-Corrosive Thin Film Precision Chip Resistor
抗蚀高精密薄膜芯片电阻PR
阻值范围：10Ω~1.5MΩ
精度：±0.1%~±0.5%
温漂(ppm/℃)：15/25/50
封装：0402/0603/0805/
1206/ 2010/2512

Thin Film Anti-Sulfurated Chip Resistor
高精密薄膜抗硫化芯片电阻TAS
阻值范围：10Ω~499KΩ
精度：±0.05%,±1%
温漂(ppm/℃)：10/15/25/50
封装：0402/0603/0805

色环精密电阻

Metal Film Precision Resistor
金属精密薄膜电阻 CSR
阻值范围：0.1Ω~10MΩ
精度：±0.1%~±5%
温漂(ppm/℃)：10/15/25/50/100
封装：0102/0204/0207

Metal Film Precision Resistor
金属精密薄膜电阻CSRV
阻值范围：0.1Ω~1MΩ
精度：±0.1%~±5%
温漂(ppm/℃)：10/15/25/50/100
封装：0204/0207

Carbon Film Resistor
碳膜无脚电阻CFS
阻值范围：1Ω~1MΩ
精度：±2%,±5%-
封装：0204/0207/0309

Metal Film Leaded Precision Resistor 
插件式金属精密电阻MFR
阻值范围：0.1Ω~10MΩ
精度：±0.05%~±1%
温漂(ppm/℃)：5/10/15/25
50/100
封装：0318/0623/0932
1145/1550

Metal Film Leaded Resistor
高精密金属膜固定电阻器MFD
阻值范围：10Ω~1MΩ
精度：±0.02%,±0.05%,
±0.1%
温漂(ppm/℃)：5/10/15/25
封装：0727/1040

Carbon Film Leaded Resistor 
插件式碳膜电阻CFR
阻值范围：0.1Ω~22MΩ
精度：±2%,±5%-
封装：0318/0623/0932
1145/1550

Metal Oxide Leaded Film Resistor
插件式金属氧化皮膜电阻MOF
阻值范围：0.1Ω~22MΩ
精度：±1%,±2%,±5%
温漂(ppm/℃)：200
封装：0623/0932/1145
1550/1765/2485

Metal Film Flame-Proof Resistors
插件式金属氧化防火电阻FMR
阻值范围：10Ω~1MΩ
精度：±0.1% ~ ±1%
温漂(ppm/℃)：15/25/50/100
封装：0623/0932/1145
1550

电流检测电阻

Current Sensing Chip Resistor 
电流感应芯片电阻CS
阻值范围：1mΩ~8000mΩ
精度：±1%,±2%,±5%
温漂(ppm/℃)：100/150/200/300
400/600/1000
封装：0201/0402/0603
0805/1206/1210
2010/2512/1225
3720/7520

Thin Film Current Sensing Chip Resistor 
薄膜电流感应芯片电阻TCS
阻值范围：50mΩ~1000mΩ
精度：±0.5%,±1%
温漂(ppm/℃)：50/100/200
封装：0402/0603/0805
1206/2010/2512

Current Sensing Thick Film Chip Resistor 
电流感应芯片电阻RS
阻值范围：10mΩ~976mΩ
精度：±1%, ±5%
温漂(ppm/℃)：500/800
1200/1500
封装：0402/0603/0805
1206/1210/2010
2512

Ultra Low Ohm (Metal Strip) Chip Resistor 1W~3W 
合金超低阻芯片电阻LR
阻值范围：0.5mΩ~15mΩ
精度：±1%,±3%,±5%
温漂(ppm/℃)：50/75/100/150
封装：1206/2010/2512

Chip Shunt Resistor 
分流芯片电阻LRS
阻值范围：0.5mΩ~4mΩ
精度：±1%,±2%,±5%
温漂(ppm/℃)：50/60/75 
100/120
封装：1050/1575

Current Sensing Metal Chip Resistor 
电流感应金属芯片电阻CSM
阻值范围：10mΩ~100mΩ
精度：±1%,±2%,±5%
温漂(ppm/℃)：50/100
封装：0603/0805/1206
2010/2512

Low Ohm (Metal Strip) Chip Resistor 
合金低阻芯片电阻LRM
阻值范围：5mΩ~100mΩ
精度：±1%,±2%,±5%
温漂(ppm/℃)：75/100
封装：1206/2010/2512

大功率无感电阻

TO-220 Power Resistor
插件式功率电阻TR20
阻值范围：0.05Ω~1MΩ
精度：±0.5%,1%, 5%, 10%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/300功率：20W

TO-220 Power Resistor
插件式功率电阻TR30
阻值范围：0.05Ω~10KΩ
精度：±0.5%,1%, 5%, 10%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/300功率：30W

TO-220 Power Resistor
插件式功率电阻TR35
阻值范围：0.05Ω~10KΩ
精度：±0.5%,1%, 5%, 10%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/300功率：35W

TO-220 Power Resistor
插件式功率电阻TR50
阻值范围：0.1Ω~10KΩ
精度：±0.5%,1%, 5%, 10%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/300功率：50W

TO-247 Power Resistor
插件式功率电阻TR100
阻值范围：0.05Ω~10KΩ
精度：±1%, 5%, 10%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/300功率：100W

TO-220 Power Resistor
插件式功率电阻TR50H
阻值范围：0.1Ω~10KΩ
精度：±0.5%,1%, 5%, 10%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/300功率：50W

汽车级专用电阻 AEC-Q200

Automotive Grade Thin Film Precision Chip Resistor 
汽车等级高精密薄膜芯片电阻AR..A
阻值范围：10Ω~1MΩ
精度：±0.05%~±1%
温漂(ppm/℃)：25/50
封装：0402/0603/0805
1206/1210
2010/2512

Automotive Grade Chip Resistor 
汽车等级厚膜芯片电阻CR..A
阻值范围：1Ω~10MΩ
精度：±1%, ±5%,
温漂(ppm/℃)：100/200
封装：0402/0603/0805/
1206/1210/2010/
2512

Automotive Grade Anti-Sulfurated Chip Resistor
汽车等级抗硫化芯片电阻AS..A
阻值范围：1Ω~10MΩ
精度：±0.5%,±1%,±5%
温漂(ppm/℃)：100/200
封装：0402/0603/0805/
1206/1210/2010/
2512

Automotive Grade Current Sensing Chip Resistor 
汽车等级电流感应芯片电阻CS..A
阻值范围：1mΩ~8000mΩ
精度：±1%,±2%,±5%
温漂(ppm/℃)：100/150/200
300/400/600
封装：0402/0603/0805
1206/1210/2010
2512/1225/3720
7520

厚膜贴片电阻

Thick Film Chip Resistor 
厚膜芯片电阻CR
阻值范围：1Ω~100MΩ
精度：±0.1%~±5%
温漂(ppm/℃)：50/100/200/400
封装：01005/0201/0402
/0603/0805/1206/
1210/2010/2512

High Ohmic Chip Resistor 
高阻值厚膜芯片电阻HMR
阻值范围：110MΩ~1GΩ
精度：±5%
温漂(ppm/℃)：500/1000
封装：0805/1206

Pulse Withstanding Chip Resistor 
耐突波贴片电阻PWR
阻值范围：1Ω~20MΩ
精度：±0.5%~±5%
温漂(ppm/℃)：100/200
封装：0603/0805/1206
1210/2010/2512

Surge Withstanding Chip Resistor 
抗浪涌芯片电阻SWR
阻值范围：1Ω~20MΩ
精度：±5%~±20%
温漂(ppm/℃)：100/200
封装：0603/0805/1206
1210/2010/2512

High Voltage Thick Film Chip Resistor 
耐高压厚膜芯片电阻HVR
阻值范围：10Ω~100MΩ
精度：±1%,±5%
温漂(ppm/℃)：100/200/400
封装：0402/0603/0805
1206/2010/2512

Anti-Sulfurated Thick Film Chip Resistor 
抗硫化芯片电阻AS
阻值范围：1Ω~10MΩ
精度：±0.5%,±1%,±5%
温漂(ppm/℃)：100/200
封装：0201/0402/0603
0805/1206/1210
2010/2512

Trimmable Thick Film Chip Resistor 
可雷切芯片电阻RT
阻值范围：1Ω~10MΩ
精度：-10%~-30%
温漂(ppm/℃)：100/200
封装：0402/0603/0805
1206/1210/2010
2512

排阻

Thin Film Array Chip Resistor 
高精密薄膜芯片排阻TFAN
阻值范围：100Ω~33KΩ
精度：±0.1%,±0.25%
±0.5%
温漂(ppm/℃)：10/15/25/50
封装：0603x4

Thick Film Array Chip Resistor 
厚膜芯片排阻CN 
CNA
阻值范围：1Ω~1MΩ
精度：±1%,±5%
温漂(ppm/℃)：200
封装：0402x4
0603x4

Thick Film Flat Array Chip Resistor 
厚膜芯片平板排阻CN-21
CN-41
阻值范围：3Ω~1MΩ
精度：±1%,±5%
温漂(ppm/℃)：200/300
封装：0201x2
0201x4
光颉（Viking）电感产品

贴片高频电感

Thin Film Chip Inductor
高频薄膜精密芯片电感AL

 感值范围：0.1nH~33nH
精度：±0.1,0.2,0.3nH
±1%,2%,3%,5%
内阻(Ω)：0.05~4.5
电流(mA)：75~850
封装：0201
0402

Multilayer Chip Inductor
高频陶瓷积层电感CL

 感值范围：0.3nH~470nH
精度：±0.3nH
±5%,10%
内阻(Ω)：0.05~4.8
电流(mA)：50~1000
封装：0201
0402
0603

Wire Wound Chip Inductor 
(Low Profile, High Q, Current, High SRF) 
高频陶瓷绕线电感WL

 感值范围：1nH~15000nH
精度：±2%,3%,5%,10%
±2nH, ±5nH
内阻(Ω)：0.02~11.5
电流(mA)：30~2400
封装：0402
0603
0805
1008
1206

功率电感

Miniature Wire Wound Power Inductor 
小型绕线功率电感SDIA

 感值范围：0.9u~470uH
精度：±20%,±30%
内阻(Ω)：0.013~7.8
电流(mA)：0.24~8.5
封装：0310/0312/0315
0410/0418/0520
0528/0610/0612 
0620/0628/0645 
0840

Shielded, Non-shielded, Miniature Wire Wound Power Inductor 
小型绕线功率电感VLH

 感值范围：0.12u~10000uH
精度：±5%,10%
±20%,30%
内阻(Ω)：0.0098~140
电流(mA)：0.03~6.0
封装：252010E/252012E
252510
322515(C)
322520(C)
453226(C)
575047C

Non-shielded, High Power, Wire Wound Power Inductor 
开磁路绕线功率电感PDH

 感值范围：0.18u~470uH
精度：±20%, ±30%
+40%-20%
内阻(Ω)：0.002~2.3
电流(mA)：0.7~30
封装：1608/1813/3316
4920/5022

Non-shielded, Wire Wound Power Inductor 
开磁路绕线功率电感PD

 感值范围：0.47u~1000uH
精度：±20%
内阻(Ω)：0.008~13.8
电流(mA)：0.1~40
封装：1608/3308/3316
3340/5022

Non-shielded, Low Profile Wire Wound Power Inductor 
开磁路绕线功率电感PCD

 感值范围：1.0u~1000uH
精度：±10%,20%
内阻(Ω)：0.01~26
电流(mA)：0.09~9.5
封装：0301/0302
0403/0502/0503
0504/0703/0705
1004/1005/1006

Shielded, Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PS

 感值范围：1u-10000uH
精度：±20%
内阻(Ω)：0.021~32.8
电流(mA)：0.02~20
封装：1608/3316/5022

Shielded, Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PCS

 感值范围：1.0u-1000uH
精度：±20%
+40%-20%
内阻(Ω)：0.007~9.44
电流(mA)：0.14~15.9
封装：62B/64B/73/74
124/125/127

Shielded, Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PCDR

 感值范围：1.2u~1500uH
精度：±20%,30%
内阻(Ω)：0.0069~4.78
电流(mA)：0.13~13
封装：0628/0728/0730
0732/0745/1045
1255/1265/1275

Shielded, Low Cost, Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PCDS

 感值范围：4.7u~820uH
精度：±20%,30%
内阻(Ω)：0.013~3
电流(mA)：0.16~3.15
封装：63B/74B/105B
125B

Shielded, Low Profile Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PSDB

 感值范围：0.56u~1000uH
精度：±30%
内阻(Ω)：0.006~3.25
电流(mA)：0.32~10
封装：5D28
1003/1004/1005

Shielded, Low Profile Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感SCDB

 感值范围：1.2u~47uH
精度：±20%,30%
内阻(Ω)：0.117~2.2
电流(mA)：0.22~1.1
封装：2D12/2D15
2D18

Shielded, Low Profile Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感SCDA

 感值范围：0.47u~100uH
精度：±20%,30%
内阻(Ω)：0.035~3.84
电流(mA)：0.18~3.9
封装：2D10/2D15/2D18
3D12/3D15/3D18

Shielded, Low Profile Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感SCDS

 感值范围：1u~680uH
精度：±20%,±30%
内阻(Ω)：0.012~6.56
电流(mA)：0.13~6.15
封装：3D18/4D18
4D22/4D28
5D18/5D28
6D28/6D38

Shielded Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PCF

 感值范围：0.36u~2500uH
精度：±20%,30%
内阻(Ω)：0.005~57.62
电流(mA)：0.036~12.6
封装：4010/4020/4030
5010/ 5020/5030
6915/6919/7040
1015/1040/1062

Shielded, Low Profile Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感PDRH

 感值范围：0.47u~3300uH
精度：±20%,30%
内阻(Ω)：0.009~57.62
电流(mA)：0.026~4.82
封装：0302/0303/0415
0502/0503/0603

Shielded, Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感SDRH

 感值范围：1.0u~100uH
精度：±30%
内阻(Ω)：0.0095~0.43
电流(mA)：0.75~9
封装：0830/0840/0845

Shielded, Wire Wound Power Inductor 
闭磁路绕线功率电感SDB

 感值范围：0.10u~47uH
精度：±20%
内阻(Ω)：0.0005~0.210
电流(mA)：3~120
封装：0420/0520/0530
0620/0625/0630 
0650/1040/1340 
1350/1365

磁芯电感

Multilayer Ferrite Chip Inductor 
积层芯片式黑电感ML

 感值范围：0.01~33uH
精度：±10%,20%
内阻(Ω)：0.07~2.55
电流(mA)：5~1800
封装：0603/0805
0806/1008
1206

Multilayer Chip Bead
贴片磁珠CB

 感值范围：5~2700Ω
精度：±25%
内阻(Ω)：0.01~2
电流(mA)：50~6000
封装：0402/0603
0805/1204
1206/1210
1808/1812

Wound Chip Inductors (Ferrite)
铁芯绕线电感(開放,鑄膜及背膠)NL

 感值范围：47nH~10mH
精度：±5%,10%
±20%
内阻(Ω)：0.03~150
电流(mA)：25~2600
封装：0603/0805
1008/1210
1812/2220
插件式电感

DIP Power Inductor
插件式开磁路功率电感DRGH

 感值范围：10u~47000uH
精度：±10%,20%
内阻(Ω)：0.022~96.4
电流(mA)：0.038~5.3
封装：654/664/855
875/895/106 
108/110

DIP Power Inductor
插件式闭磁路功率电感DRGR

 感值范围：10u~10000uH
精度：±10%,20%
内阻(Ω)：0.023~35
电流(mA)：0.074~3.51
封装：664/875 
108/110

　　全球被动组件小型化、高频化及高功率密度化已成为主流；现今电子产品快速升级，应用领域更是千变万化，单纯的以表面黏着技术小型化已无法完全符合系统产品需求。光颉科技于1997年10月成立于新竹科学园区，是台湾第一家结合薄膜/厚膜的制程技术与高频被动组件/模块设计开发能力的专业厂商，拥有优越的技术研发团队，致力于薄膜的制程技术研发与高频组件/模块整合的设计开发，提供符合系统产品高频化与小型化需求的整合型被动组件与高频模块等关键零组件，成功整合了电阻/电容/电感/二极管等等被动组件(Integrated Passive Devices, IPDs), 可被广泛应用在移动式个人电子产品的静电防制及电磁滤波(ESD & EMI Filter)等等。

 

　　光颉科技利用薄膜制程的高精密特性及厚膜制程的成本优势，开发出特性极佳且独特的精密型电阻， 超低阻值电阻，拥有最宽广的阻值范围、最精密及最低的TCR，成为全球少数电阻精度可达0.01%、 TCR 5ppm/℃的制造商。在高频化的趋势上，我们开发了薄膜式、积层式及绕线式等高频电感组件，亦是全球少数同时拥有此三种制程的制造商，提供了多样不同应用选择，电感精度可达0.5%，SRF可达13GHz以上。

 

　　光颉科技同时也提供客户各种镀膜、黄光制程及客制化(Customer Design)的薄膜/厚膜制程等等代工服务。为充分满足客户需求， 我们不只提供给给客户特性卓越及极具竞争力的产品外，并积极与客户合作设计开发新产品，在产品效益、特殊电气特性上等等发挥到极致，我们也提供客户所需要的各种电子零组件, 让客户一次购足所需的电阻,电容及电感等等被动组件。

光颉科技广受国内外客户的支持，不断的持续成长, 不断开发符合客户需求的新产品，积极扩充产能以符合市场需求。日益创新的专业技术和遍布全球的行销通路服务客户. 我们的目标是要成为3C(计算机, 通讯, 消费性)产业中小型化关键零组件产品的主要合作供货商。
光颉科技股份有限公司为一专业的被动组件制造、销售公司，专门制造电阻、电容、电感和二极管等材料；我们的精密型电阻和高频被动组件目前已销售到世界各国，因为我们能提供符合市场需求的电子被动组件。另一方面，我们更提供了客制化的服务；不管是高频电感组件、高频模块、电阻或电容器，都可以依照客户的需求来订作。如果您需要电感、二极管和超低阻值电阻等被动组件，欢迎与光颉科技股份有限公司联络，我们将竭诚为您服务

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光颉科技股价 昨收78.6当日幅度79.3-81.4营收3.11B开盘79.752 周范围29.85-100每股收益4.02量3,886市值9.53B股息0.80(1.02%)平均成交量 (3个月)10,059市盈率20.19贝塔1.91年涨跌幅163.21%流...

光颉电子

光颉电子 无感电阻高频无感电阻 大功率无感电阻 100W贴片无感电阻 35W 50W48小时发货¥50.00成交3笔dian火电阻 起爆电阻0805 10% 2Ω光颉viking爆破电阻 FIR系列48小时发货...

光颉电阻资料

汽车级电阻器Viking 的汽车级组件符合 AEC-Q200 标准，符合汽车工业标准。抗硫厚膜、精密薄膜、电流传感、电阻阵列、MELF电阻均适用于汽车照明、媒体、...

光颉电阻替代哪些品牌的电阻？

光颉电阻替代哪些品牌的电阻？ 万分之一精密电阻-AR03TTS0300-阻值30Ω-Viking产品型号AR03TTS0300电阻阻值30Ω电阻精度±0.01%封装尺寸0603温度系数±5 ppm产品功率1/16W   工作电压50 V过载电...

光敏电阻LDR的类型、优势、缺点、应用

LDR 的类型LDR 的分类可以基于线性或光敏材料来完成。设计LDR时最常用的材料主要包括硫化镉、硫化铊、硒化镉和硫化铅。用这种硫化镉化学物质产生的...

光敏电阻规格和特点

光敏电阻规格和特点 光敏电阻规格LDR 规格主要包括最大功耗、最大工作电压、峰值波长、暗电阻等，这些规格的数值如下所述。最大功耗为 200mW0 lux 时的最大电压为 200V峰值...

光敏电阻延迟

光敏电阻延迟延迟是与 LDR 相关的主要方面，这意味着响应组件的任何更改所花费的时间。因此，此功能对于设计电路尤为重要。在 LDR 达到新的光照水平...

光敏电阻电路

LDR 的电路是由 LDR、继电器、达林顿对、二极管和电阻器构成的电子电路，如下图所示。为负载提供电压供应LDR 电路所需的直流电压由桥式整流电路或电...

光敏电阻的工作原理

LDR 的工作原理是光电导，它不过是一种光学现象。当光被材料吸收时，材料的导电性增强。当光落在 LDR 上时，材料价带中的电子渴望进入导带。但是，...

光敏电阻器LDR的结构

光敏电阻器LDR的结构 LDR的构建LDR 的结构包括一种光敏材料，该材料放置在陶瓷等绝缘基板上。材料呈锯齿状放置，以获得所需的额定功率和电阻。之字形区域将金属放置区域...

LDR光敏电阻符号

LDR光敏电阻符号 LDR 符号在电子电路中使用的LDR符号主要取决于电阻符号；然而，它以箭头形式说明了光线。通过这种方式，它遵循与光电晶体管和光电二极管电路符号相...

什么是光敏电阻：电路及其工作原理

什么是光敏电阻：电路及其工作原理 灯饰和家电的控制，一般需要多次手动操作和维护。但是电器控制的过程可能会因人为的粗心或异常情况而造成电能的浪费。为了克服这个问题，我们可...

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