III 类半导电圆片电容

III 类半导电圆片电容

电容范围 ： 100,000pF

电容容差 ： +80%-20%

工作温度范围 ： -25°C ~ +85°C

额定电压：16.25 & 50 VDC

介损因数（tanδ） ： Y5V 16V.....棕褐色 δ ≤7.5%， Y5V 25/50V.....棕褐色 δ ≤5.0%

绝缘电阻 （IR）@25°C ： 16V .......最小 100MΩ 或 10MΩμF 25/50V...最小 1000MΩ 或 20MΩμF

介电强度 ： 额定 WVDC 的 2 倍

测试参数 ： 1KHz ±20%， 最大 0.1Vrms