2020年10月20日，英国伦敦，美国圣克拉拉-领先的电池和电源管理，Wi-Fi，低功耗蓝牙（BLE），工业边缘计算解决方案提供商Dialog Semiconductor和世界领先的特殊工艺半导体代工厂GLOBALFOUNDRIES＆reg; （GLOBALFOUNDRIES＆reg;）今天宣布，已达成一项协议，将Dialog的导电桥RAM（CBRAM）技术从Dialog授予GLOBALFOUNDRIES。
这种基于电阻RAM（ReRAM）的技术由Adesto Technologies率先开发，该技术于2020年被Dialog Semiconductor收购。
;平台，并计划在将来将该技术扩展到其他平台。
Dialog独特且经过生产验证的CBRAM技术是一种低功耗NVM解决方案，设计用于一系列应用，例如物联网（IoT），5G连接性和人工智能（AI）。
低功耗，高读写速度，较低的制造成本以及对恶劣环境的耐受性使CBRAM特别适合于消费类，医疗以及特定的工业和汽车应用。
此外，CBRAM技术为这些市场中产品所需的先进技术节点提供了经济高效的嵌入式NVM。
Dialog Semiconductor公司发展高级副总裁兼工业混合信号业务部门总经理Mark Tyndall表示：“ CBRAM是Adesto杰出的标志性存储技术之一。
将此技术添加到Dialog的产品组合中具有重要的战略意义。
Dialog和Adesto合并后，GLOBALFOUNDRIES的许可合作证明了业务发展的速度。
展望未来，我对我们与GF的牢固合作关系充满信心。
该许可协议不仅为业界提供了最先进的技术，而且还为Dialog提供了在下一代片上系统（SoC）中采用高级CBRAM技术的机会。
GF汽车，工业和多市场业务部门高级副总裁兼总经理Mike Hogan表示：“我们与Dialog的合作表明Core致力于在进一步为客户提供差异化优势和增值领域中增加投资。
Dialog的ReRAM技术是对我们领先的eNVM解决方案系列的很好的补充。
该内存解决方案与我们的FDX平台相结合，将帮助我们的客户进一步突破技术界限，并提供新一代的安全IoT和边缘AI应用程序”。
Dialog的CBRAM技术克服了ReRAM常见的集成和可靠性挑战，提供了可靠且低成本的嵌入式存储器，同时保持了低成本的ReRAM Voltage操作能力。
这意味着可以实现比标准嵌入式闪存低功耗的读和写操作。
到2022年，GF客户可以在22FDX平台上使用嵌入式NVM选件来使用CBRAM。
通过IP定制，客户可以修改CBRAM单元以优化其SoC设计，提高安全性或调整单元以适应新的应用。
另外，CBRAM作为“后端处理”。
技术，可以相对容易地集成到其他技术节点中。
