作者：Analog CMOS

不仅可以做电容、电阻，还可以做：电感、MOS管、三极管、二极管等

平时消费者看到的成品是这样子

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打开黑色外套，内部核心大概长这样子

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里面应该会有的典型器件：

1. 电容有poly 电容 MOS电容  MOM电容

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2. 电阻：有poly电阻diffusion电阻

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3. 电感

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4. 二极管

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5. 三极管

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IC的制作过程实际上就是在硅衬底上多次反复进行薄膜形成、光刻、掺杂等加工。

具体操作有刻蚀、注入、蒸发、溅射、生长、沉淀、冷却、退火等复杂的工艺。

工艺步骤

1. 洁净工艺

给硅片提供洁净的环境

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2. 氧化工艺

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3. 薄膜工艺

IC的制作过程实际上就是在硅衬底上多次反复进行薄膜形成、光刻、掺杂等加工。


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4. 光刻工艺

把（掩膜版上的）图形转移到硅片上

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5. 掺杂工艺

掺杂就是将硼、磷、砷等元素加到硅圆片内或多晶硅等薄膜内，改变其杂质浓度，以改变硅片的性质，如从n型变成p型、从p型变成n型，或改变其电阻率。


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6. 刻蚀工艺

刻蚀就是利用光刻胶或其它材料作掩蔽层，对没有保护的区域进行腐蚀，最终实现掩膜版图形变成硅片上图形的图形转移。


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7. 平坦化工艺

在集成电路工艺发展过程中，随着加工层数的增加，出现了表面的台阶高差越来越大的问题。

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一个简单的两个器件组成的反相器，至少经过前面的几个最基本操作，才能实现

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