据媒体报道，长江蓄水库计划今年将其产量提高一倍。该公司计划在下半年将其每月的存储芯片产量提高到100,000个晶片。
它还准备试生产192层NAND闪存芯片。该产品将于2021年开始试生产，但试生产计划可能会推迟至2021年下半年。
市场领先的供应商仍在开发176层3DNAND芯片，目前可用于批量生产的最先进版本是128-层NAND芯片。在此之前，YMTC在4月13日宣布已成功开发其128层QLC3DNAND闪存，并且已在多家控制器制造商的终端存储产品（例如SSD）上进行了验证。
这标志着国内3DNAND领域已正式进入国际先进水平。自2020年第三季度以来，长江仓储一直在忙于引进和安装必要的生产设备并扩大生产线。
目前，YMTC同时生产64层和128层3D闪存芯片，但将逐渐将更多容量转移给后者。据报道，YMTC最早将于2021年中期开始试生产192层3DNAND闪存芯片，这将是中国半导体行业参与者首次试生产此类芯片。
三星和美光等市场领先的供应商仍在开发176层3DNAND芯片，并且可以批量生产的最先进版本是128层NAND芯片。半导体产业掀起产能扩张+国内替代浪潮。
从2018年到2020年，长江蓄水技术实现了从32层到64层再到128层的技术飞跃。在市场份额高度集中的内存芯片市场，国产内存芯片的量产上市对于填补国内存储空白具有重要意义。
具体来说，长江存储和合肥长鑫的生产线正在逐步增加产能，仍然有较大的产能空间，这将迫使国内半导体设备制造商在产能扩张过程中释放其业绩。中信证券于1月7日发布研究报告，长江存储，华虹集团，中芯国际，长兴存储等晶圆厂正在积极扩大生产，带动国内半导体设备市场全球增速翻番，行业发展迅速。
生产能力偏紧。生产进度有望加快。
其中，长江蓄水项目一期将在2019年达到20,000件/月的生产能力，并将在2020年扩大至50,000件/月。预计该项目的一期将达到未来的月产能为100,000件/月，第二阶段的土建工程已经完成。
建设将于2020年6月开始，两个阶段的总生产能力为300,000件/月。从中信证券编纂的2018年至2020年的三年中，长江储水约2500台设备的招标情况来看，日美制造商仍占主导地位，但国内制造商所占比例逐年增加。
在2019年长江仓储的1088项设备招标中，中国制造商的设备占9.65％；在2020年长江仓储的1107种设备招标中，中国制造商的设备占14.36％，呈上升趋势。华北北方，中国微电子和圣美分别中标了97/45/25个单元，位居国内制造商的前列。
因此，中信证券表示，产能扩张+国内替代正在积极推进，并对2021年半导体设备行业的发展感到乐观。展望2021年，IDM工厂，如长江存储和长鑫存储，华虹无锡，华立集成，中芯国际和其他晶圆代工厂制定了持续的产能扩张计划。
在包括晶圆在内的当前行业产能短缺的背景下，制造，包装和测试设备的订单预计将激增。另一方面，中芯国际事件进一步激发了国内制造商的危机意识，有望积极推动国产新机的核查，这将使国产设备制造商受益。