微波发生器目前，通常使用两种主要类型的微波振荡，即电真空装置和固体装置。电真空装置主要包括微波电真空三极管，反射速调管，磁控管和回波管。固态器件具有晶体三极管，体效二极管（也称为耿氏二极管）和雪崩二极管。小功率反射速调管和体效二极管通常用于实验室中。对于反射速调管振荡器，参见实验“反射速调管的工作特性”。这里仅讨论体效二极管振荡器。自20世纪60年代以来，随着微波固体器件的发展，已经提出用固体微波振荡器代替速调管。它具有寿命长，价格低，直流电源结构简单等优点，但噪声和稳定性与低噪声速调管无法比拟。目前使用的固态微波源通常是体效二极管（也称为耿氏二极管）振荡器或Impact Avalanche和Transit Time二极管振荡器，两者都利用半导体二极管的负电阻。效果是产生微波振荡。

1963年，美国国际商业机器公司（1BM）JB Gunn发现砷化镓和磷化铟等薄层材料具有负阻特性，因此可以在不需要PN的情况下产生微波振荡结。它与通常由PN结组成的半导体器件的工作方式不同。它不使用在PN结中移动的载流子的特性，而是利用在半导体本体中移动的载流子的特性。它基于砷化镓等材料。 “身体”内的物理效应。因此，这种类型的器件被称为体效二极管或耿氏二极管（以发明者Gunn命名）。在实验中观察到如果在N型砷化镓单晶上施加直流电压，如图3-9所示。随着电压逐渐增加，电流也增加。如图3-10中的OA线所示，这是正电阻区。但是，当电压上升到某个阈值时，电流达到其最大值。随着电压进一步增加，电流反而降低。这是我们经常谈论的负阻现象，如图3-10中的AB线所示。当电压增加到更晚时，如果电压继续增加，则电流再次开始上升并进入另一个正电阻区域。图中负电阻开始时的电压和电流分别称为阈值电压和阈值电流。从体效应管的电压 - 电流特性曲线可以明显看出，如果适当地选择管的DC工作点，则可以使用其负电阻特性来产生高频振荡。