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DIODES P沟道增强型MOSFET DMS2120LFWBAEC-Q101标准MOS管

 DMS2120LFWB

具有集成SBR的P沟道增强型MOSFET
特征
低导通电阻
95mΩ@ V GS = -4.5V
120mΩ@ V GS = -2.5V
150mΩ（典型值）@V GS = -1.8V
低栅极阈值电压，最大-1.3V
快速切换速度
低输入/输出泄漏
采用低VF超级势垒整流器（SBR）
薄型，0.5mm最大高度
无铅/符合RoHS标准
“绿色”装置
符合AEC-Q101高可靠性标准
美台DIODES二三极管，MOS管，电源管理，查货，索样，请来电洽询深圳市捷比信实业有限公司。
DMS2120LFWB-7
DMT32M5LFG-13
AZ1117CH-3.3TRG1
DMN1006UCA6-7-01
SBRT3U40P1-7
PI3WVR646GEEX
DMN1002UCA6-7-01
DMTH6010LPD-13
B540CQ-13-F
DMN2036UCB4-7
ES2G-13-F
MJD31C-13
PD3S160-7
AZ1117EH-3.3TRG1
BAV199Q-13-F
 


台湾信昌FVS系列耐高压电阻符合 UL1676安规认证标准,最大过载电压可达4000V DMS2120LFWB是具有集成SBR的P沟道增强型MOSFET