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DMS2120LFWB是具有集成SBR的P沟道增强型MOSFET

 DMS2120LFWB是具有集成SBR的P沟道增强型MOSFET

特征
低导通电阻
95mΩ@ V GS = -4.5V
120mΩ@ V GS = -2.5V
150mΩ（典型值）@V GS = -1.8V
低栅极阈值电压，最大-1.3V
快速切换速度
低输入/输出泄漏
采用低VF超级势垒整流器（SBR）
薄型，0.5mm最大高度
无铅/符合RoHS标准
“绿色”装置
符合AEC-Q101高可靠性标准
DIODDES常备料型号如下：
DMS2120LFWB-7
DMT32M5LFG-13
AZ1117CH-3.3TRG1
DMN1006UCA6-7-01
SBRT3U40P1-7
PI3WVR646GEEX
DMN1002UCA6-7-01
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DIODES P沟道增强型MOSFET DMS2120LFWBAEC-Q101标准MOS管 DIODES稳压器AZ431BZ-ATRE1是开关电源，充电器和其他可调稳压器等应用中齐纳二极管的理想替代品