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DIODES双P沟道增强型MOSFET-DMP2200UDW

 

DMP2200UDW-双P沟道增强型MOSFET

  该MOSFET旨在最大限度地降低通态电阻(RDS(on)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。应用:电池断开开关及

负载开关用于电源管理功能。

产品参数

 

符合AECQ10x标准

没有
符合汽车标准的PPAP 没有
极性 P + P
ESD二极管 是的Y / N.
VDS 20 V
VGS 8±V
IDS @ TA = + 25°C 0.9 A
PD @ TA = + 25°C 0.6 W
RDS(ON)Max @ VGS(10V) N /AmΩ
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V) 260mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V) 500mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V) 1000mΩ
VGS(th)Min。(V) 0.4
VGS(th)Max 1.2 V
CISS Typ 184 pF
CISS条件[@VDS] 10 V
QG Typ @ VGS = 4.5V(nC) 2.1
QG Typ @ VGS = 10V(nC) N / A

 

DIODES二三极管,MOS管,查货,索样请来电洽询深圳市捷比信实业有限公司。

 



DIODES二极管,BAV70-7符合AECQ10x标准小讯号开关二极管 DIODES增强型MOSFET-DMPH4023SK3产品特性