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DIODES增强型MOSFET-DMPH4023SK3产品特性

 DIODES增强型MOSFET-DMPH4023SK3产品特性

该MOSFET旨在最大限度地降低通态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。

应用

  • 电机控制
  • 背光
  • DC-DC转换器
  • 打印机设备

特征

 

  • 额定温度为+ 175°C - 适用于高环境温度环境
  • 生产中100%未钳位感应开关(UIS)测试
  • 低导通电阻
  • 快速切换速度
  • 低输入/输出泄漏
  • 无铅表面处理; 符合RoHS标准 
  • 卤素和无锑。“绿色”装置 
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 符合汽车标准的器件可在单独的数据表(DMPH4023SK3Q)下使用
  • 符合AECQ10x标准
    符合汽车标准的PPAP DMPH4023SK3Q
    极性 P
    VDS 40 V
    VGS 20±V
    IDS @ TA = + 25°C N / AA
    PD @ TA = + 25°C 3.6 W
    RDS(ON)Max @ VGS(10V) 26mΩ
    RDS(ON)Max @ VGS(4.5V) N /AmΩ
    RDS(ON)Max @ VGS(2.5V) N /AmΩ
    VGS(th)Max 3 V
    CISS条件[@VDS] 20 V
    QG Typ @ VGS = 4.5V(nC) N / A nC
    QG Typ @ VGS = -4.5V(nC) N / A nC
    QG Typ @ VGS = 10V(nC) 18.7 nC
    QG Typ @ VGS = -10V(nC) 18.7 nC
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