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DIODES双P沟道增强型MOSFET-DMP2200UDW 普通二极管,肖特基二极管,TVS管的主要区别和应用
DIODES增强型MOSFET-DMPH4023SK3产品特性
DIODES增强型MOSFET-DMPH4023SK3产品特性
该MOSFET旨在最大限度地降低通态电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。
应用
- 电机控制
- 背光
- DC-DC转换器
- 打印机设备
特征
- 额定温度为+ 175°C - 适用于高环境温度环境
- 生产中100%未钳位感应开关(UIS)测试
- 低导通电阻
- 快速切换速度
- 低输入/输出泄漏
- 无铅表面处理; 符合RoHS标准
- 卤素和无锑。“绿色”装置
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 符合汽车标准的器件可在单独的数据表(DMPH4023SK3Q)下使用
-
符合AECQ10x标准 是 符合汽车标准的PPAP DMPH4023SK3Q 极性 P VDS 40 V VGS 20±V IDS @ TA = + 25°C N / AA PD @ TA = + 25°C 3.6 W RDS(ON)Max @ VGS(10V) 26mΩ RDS(ON)Max @ VGS(4.5V) N /AmΩ RDS(ON)Max @ VGS(2.5V) N /AmΩ VGS(th)Max 3 V CISS条件[@VDS] 20 V QG Typ @ VGS = 4.5V(nC) N / A nC QG Typ @ VGS = -4.5V(nC) N / A nC QG Typ @ VGS = 10V(nC) 18.7 nC QG Typ @ VGS = -10V(nC) 18.7 nC - DIODES/美台/百利通等二三极管,MOS管,LED驱动等相关产品,查货,索样,欢迎来电洽询深圳市捷比信实业有限公司。

DIODES双P沟道增强型MOSFET-DMP2200UDW 普通二极管,肖特基二极管,TVS管的主要区别和应用
