选择半导体放电管时应注意以下几点：1。反向击穿电压VBR必须大于受保护电路的最大工作电压。
例如，在POTS应用中，最大振铃电压（150V）峰值电压（150 * 1.41 = 212.2V）和直流偏置峰值（56.6V）之和为268.8V，因此VBR大于268.8V的器件应为选择。与ISDN应用一样，最大直流电压（150V）和最大信号电压（3V）之和为153V，因此应选择VBR大于153V的器件。
2.转角电压VBO必须小于受保护电路允许的最大瞬时峰值电压。 3.如果半导体放电管在通过大浪涌电流后自复位，则器件的保持电流IH必须大于系统可提供的电流值。
即：IH（系统电压/源阻抗）。 4.最大瞬时峰值电流IPP必须大于通信设备标准的规定值。
例如，FCC Part 68A型的IPP应大于100A; Bellcore 1089的IPP应大于25A。 5.当半导体放电管处于导通状态（导通）时，功率P损失应小于其额定功率Pcm，Pcm = KVT * IPP，其中K由短路电流的波形确定。
对于指数波，方波，正弦波和三角波K值分别为1.00,1.4,2.2和2.8。主要特点：1。
用于高密度表面贴装的防静电浪涌吸收器。 2.适用于流动和回流焊接。
3.采用微间隙法，浪涌响应特性优异。 4.静电容量低，可用于高频电路。
5.高绝缘电阻特性。 6.可以录音和包装。
7.符合IEC61000-4-2规范。